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昆士兰科技大学陈志刚/史晓磊Science:纳米粘合剂推进丝网印刷柔性热电材料Bi2Te3

2024-12-14 15:09| 发布者: King| 查看: 105| 评论: 0

摘要: 01 科学背景随着可穿戴电子设备数量的不断增长,可持续充电和冷却技术引起了越来越多的关注。可穿戴柔性热电装置(F-TED)尤其具有作为可穿戴电子设备的可持续能源或制冷的潜力。F-TED可以舒适地佩戴在皮肤上,并利用 ...


01 科学背景

随着可穿戴电子设备数量的不断增长,可持续充电和冷却技术引起了越来越多的关注。可穿戴柔性热电装置(F-TED)尤其具有作为可穿戴电子设备的可持续能源或制冷的潜力。F-TED可以舒适地佩戴在皮肤上,并利用人体与周围环境之间的温差自动产生电能。为了提高F-TED的实用性,所使用的热电材料必须在室温附近表现出高功率因数(S2σ)或高品质因数(ZT),以及高灵活性、低毒性和稳定性。

在所有近室温热电材料中,碲化铋(Bi2Te3)由于其在室温下优异的σ和S,因此在柔韧性和丝网印刷方面最具潜力。在Ag掺杂、高度(00l)取向的Bi2Te3薄膜中观察到室温下ZT为1.2。然而,该材料的制备工艺复杂、耗能,限制了其大规模应用的潜力。丝网印刷是一种相对廉价且可扩展的技术,适用于实验室规模的研究和工业生产,能耗低、材料要求低。然而,丝网印刷的Bi2Te3薄膜通常致密化较差,导致σ值低,从而影响整体性能。Bi2Te3的平面内ZT高于平面外ZT,这就是Bi2Te3基薄膜旨在实现高(00l)取向的原因。除了精心控制粉末尺寸以实现薄膜中的高(00l)取向之外,还需要优化粉末的成分以确保高的初始热电性能,而这在以前的研究中是缺乏的。然而,Bi2Te3粉末的粒径过大,薄膜容易开裂,影响薄膜的柔韧性和稳定性,成为制备高性能Bi2Te3薄膜的瓶颈。

02 创新成果

澳大利亚昆士兰科技大学陈志刚教授、史晓磊教授等研究人员开发了一种基于纳米粘合剂的技术,用于丝网印刷高柔性和高性能的Bi2Te3基无机热电薄膜。该技术将溶剂热合成、丝网印刷和放电等离子烧结与纳米粘合剂相结合。理论计算和详细的纳米结构表征证实,添加Te纳米棒作为纳米粘合剂可以有效提高Bi2Te3薄膜的致密化并构建有效的能量过滤屏障,以同时增强S并保持高σ,从而在室温下获得出色的2σ 18.5 μW cm-1 K-2。此外,Te的加入会引起各种晶格缺陷,从而进一步增强声子散射,将κ1降低至0.19 W m-1 K-1。这种优化将ZT提高到303 K时的约1.3,这是柔性热电材料的最高值之一。在r为5 mm的条件下,经过1000次弯曲后性能损失约为2%,表明含有Te纳米粘合剂的Bi2Te3薄膜具有高可靠性和柔韧性。此外,设计的由两对n型(Bi2Te3)和p型(Bi0.4Sb1.6Te3)组成的柔性器件可以实现高达3 μW cm-2 K-2的出色ωn,显示出巨大的应用潜力。

相关研究成果2024年12月12日以“Nanobinders advance screen-printed flexible thermoelectrics”为题发表在Science上。



03 核心创新点

高功率密度:由这种薄膜组装的柔性热电设备(F-TEDs)实现了超过3 mW cm-2 K-2的归一化功率密度,这在丝网印刷设备中是排名最高的。

广泛的适用性:这项技术不仅适用于Bi2Te3基薄膜,还可以扩展到其他无机热电薄膜系统,如Ag2Se,显示出广泛的适用性。

低晶格热导率:通过Ag掺杂、Bi2Te3晶粒之间的晶界以及Te和Bi2Te3之间的相界,有效地散射了各种波长的声子,显著降低了晶格热导率(k1),从而实现了高达1.3的ZT值。

集成到可穿戴设备中的潜力:由于其灵活性和性能,这种薄膜有望集成到可穿戴电源或冷却应用中,为可穿戴电子设备提供可持续的充电和冷却技术。

04 数据概览


图1.丝网印刷Bi2Te3基薄膜及相关器件介绍


图2.丝网印刷Bi2Te3薄膜的相和结构表征


图3.含7.5 wt% Te的丝网印刷Bi2Te3薄膜纳米结构表征




图4.含x wt % Te(x = 0、2.5、5、7.5和10 wt %)的Bi2Te3薄膜的热电性能


图5.丝网印刷Bi2Te3薄膜及器件的柔韧性和性能


05 成果启示

这项研究开发了一种创新、经济高效的技术,将溶剂热、丝网印刷和烧结技术相结合,生产出一种无机柔性热电薄膜。可印刷薄膜由Bi2Te3基纳米板作为高度取向的晶粒和Te纳米棒作为“纳米粘合剂”组成,显示出可印刷薄膜的优异热电性能、良好的柔性、大规模可制造性和低成本。构建了一种由可印刷的n型Bi2Te3基和p型Bi0.4Sb1.6Te3薄膜组装而成的柔性热电装置,其归一化功率密度达到>3 μW cm−2 K−2,在丝网印刷装置中名列前茅。此外,该技术可以扩展到其他无机热电薄膜系统,如Ag2Se,显示出广泛的适用性。这项工作表明,这种创新的制造技术可以实现具有高性能和灵活性的大规模近室温F-TED。虽然还没有将这项技术应用于IC封装,但事实上该器件可以在84 mA的微小输入下导致11.7 K的降温使作者有信心将其应用于先进IC设备的冷却。

原文链接:

doi.org/10.1126/science.ads5868(点击文末阅读原文可下载原文献)
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